德國功率半導體大廠英飛凌 (Infineon Technologies) (IFNNY-US) 10月27日宣布，將在奧地利菲拉赫 (Villach) 廠區打造全球首座採用300毫米(12吋)晶圓、用於氮化鎵(GaN)功率半導體大規模生產的製造基地，計畫至2034年累計投入約11億歐元，約合12.3億美元。新產線預計於2027年底啟動生產，藉由將300毫米GaN晶圓技術從研發推向量產，提升晶片製造效率並降低生產成本，搶攻AI資料中心、能源基礎設施、電動車及機器人等市場持續成長的電力轉換需求。

這項投資已獲歐盟執委會批准3.19億歐元國家補助，資金依據《歐洲晶片法案》框架提供，正式補助承諾仍待奧地利主管機關完成相關程序。英飛凌表示，這項投資將運用菲拉赫既有無塵室設施並進行升級，擴充功率半導體產能，同時強化歐洲半導體產業的自主製造能力與技術競爭力。

菲拉赫是英飛凌功率半導體研發與製造的重要據點，現有約4,800名員工，並已具備200毫米GaN晶圓生產能力。此次計畫並非從零興建全新廠房，而是在既有基礎設施上改造升級，將製程推進至更大尺寸的300毫米晶圓，以提高產能與成本效益。

300毫米晶圓相較於目前常見的200毫米晶圓，單片晶圓可生產的晶片數量約為2.3倍，有助於提高設備與製程的使用效率，並降低單顆晶片的製造成本。不過，實際成本優勢仍取決於製程良率、設備利用率及市場需求。對功率半導體業者而言，若能成功將300毫米GaN技術導入大規模生產，將有機會在成本與供應能力上建立競爭優勢。

英飛凌早在2024年便成功加工出全球首片300毫米GaN晶圓，當時已跨越重要技術門檻。如今進一步投入11億歐元建置量產能力，代表公司正將技術成果轉化為商業化產能，並希望藉此擴大在高效率功率半導體市場的領先地位。

GaN屬於寬能隙半導體材料，相較傳統矽基功率元件，具有切換速度快、功率損耗低及發熱量較少等優勢，可協助電源系統縮小體積、提升能源轉換效率。隨著AI資料中心的運算需求快速增加，伺服器與資料中心電源系統需要更高效率的電力轉換技術，以降低能源損耗與散熱負擔，GaN因此成為相關產業積極布局的關鍵材料之一。此外，電動車、再生能源設備、能源基礎設施及機器人等應用，也持續帶動高效率功率元件需求。

根據市場研究機構Yole Group的資料，2025年全球GaN功率元件市場規模約為5.88億美元，較2024年的3.61億美元成長約63%。中國功率半導體業者英諾賽科 (Innoscience)以約31%的市占率排名第一，英飛凌則以約16%的市占率升至第二，顯示英飛凌正加速擴大在GaN功率元件市場的影響力。

回顧2024年市場排名，英諾賽科市占率約30%，納微半導體 (Navitas Semiconductor)約17%，Power Integrations (POWI-US)約15.2%，EPC約13.5%，英飛凌則約11.2%、排名第五。隨著市場規模擴大，英飛凌在2025年將市占率提高至16%，排名躍升至第二，反映公司在GaN功率元件市場的競爭力有所提升。

除了英諾賽科與英飛凌，美國的Power Integrations、納微半導體、EPC，以及歐洲的意法半導體 (STMicroelectronics) (STM-US)、日本的羅姆 (ROHM)與瑞薩電子 (Renesas Electronics)等業者，也持續布局GaN功率半導體。各家公司在產品設計、應用市場與客戶結構上有所不同，產業競爭除了晶片性能，也涉及製造成本、量產能力、產品可靠度及客戶導入進度。

英飛凌此次擴大GaN產能，也與AI資料中心對電力效率的要求密切相關。AI伺服器耗電量隨運算規模增加，電源供應系統必須在更高功率密度下維持效率與穩定性，才能降低能源成本與散熱需求。若300毫米GaN晶圓量產順利推進，英飛凌將有機會以更具規模效益的製造方式，供應資料中心及其他高功率應用所需的元件。

除GaN之外，英飛凌也同步布局另一項寬能隙半導體技術碳化矽(SiC)。公司10月15日宣布，已與美國碳化矽材料與半導體業者Wolfspeed (WOLF-US)簽署200毫米SiC晶圓長期供貨協議，確保自身碳化矽元件製程轉向200毫米晶圓時，能取得所需原料供應。相關產品應用涵蓋新能源車、太陽能光伏及AI資料中心供電鏈路。

GaN與SiC各有不同的性能特性及應用優勢，英飛凌同時推進兩條技術路線，反映公司希望透過不同材料滿足各類電力轉換需求。GaN具備快速切換及高效率等特性，適合部分高頻電源轉換應用；SiC則適用於高電壓、高功率及高溫環境，廣泛應用於電動車與能源設備。透過擴大GaN量產規模並確保SiC晶圓供應，英飛凌正從製造技術、產能與供應鏈三個層面強化競爭力。

隨著AI基礎建設持續擴張，功率半導體的重要性逐漸從傳統電源管理延伸至資料中心能源效率與整體運算成本。英飛凌此次投入11億歐元，除了將300毫米GaN晶圓技術推向量產，也將考驗新製程的良率、客戶需求與產能爬坡速度。若能順利在2027年底啟動生產，並逐步達到規模經濟，公司有望進一步提升市場地位；但投資效益仍取決於AI資料中心等終端市場的實際需求，以及量產後能否持續降低製造成本。