台積電日前宣布，將釋出矽中介層委外製造大單給格羅方德，總金額高達20億美元（近新台幣640億元），使得矽中介層成為業界關注焦點，也讓矽中介層後市發展更有想像空間。台廠中，聯電（2303）、力積電均積極揮軍矽中介層，搶搭相關商機。

根據台積電與格羅方德的協議，台積電將委由格羅方德在美國紐約州生產CoWoS所需矽中介層，預計2028年上半年逐步放量，相關協議長達五年。法人認為，這透露AI催動先進封裝對矽中介層需求強勁，台積電為了確保矽中介層產能無虞，擴大委外釋單。

法人指出，台積電與格羅方德簽訂矽中介層供應長約，等於是為矽中介層後市按讚，凸顯AI封裝關鍵零組件需求持續擴大。

台灣兩大成熟製程代工廠聯電、力積電正積極布局矽中介層製造，分別透過既有產能調整、擴充矽中介層量能，搭配矽電容與3D堆疊技術，搶進AI與高效能運算（HPC）供應鏈，為成熟製程開拓新出海口，同步搶食矽中介商機。

業界分析，矽中介層是串接AI處理器與高頻寬記憶體（HBM）的重要橋梁，透過高密度線路，讓不同晶片在同一封裝內高速傳輸資料，支撐龐大運算需求，在AI晶片整合更多記憶體與運算單元，封裝面積及互連需求同步提升，帶動中介層技術與產能需求。

聯電投入矽中介層多時，正積極擴產，月產能將由3,000片倍增至6,000片，以因應客戶先進封裝需求。另外，聯電還導入深溝槽電容的2.5D封裝方案已出貨予主要客戶，主動式中介層也與多家客戶進行驗證，持續拓展AI應用。

聯電相關技術涵蓋矽中介層、深溝槽電容、晶圓級混合鍵結及主動式中介層，並與封測廠合作開發量產方案，從晶片互連、電源效率到異質整合，擴大先進封裝服務範圍，爭取後續客戶導入商機。

力積電以「3D AI晶圓代工」為轉型重點，將記憶體製造與成熟製程優勢，延伸至矽中介層、矽電容及晶圓堆疊，今年並展示中介層、整合型被動元件矽電容與3D WoW DRAM堆疊技術，鎖定AI對大容量、高頻寬及供電穩定性的需求。

在產能配置上，力積電規劃運用P3廠等既有資源擴大中介層布局，並結合深溝槽製程發展高密度矽電容，前者負責晶片間的高速互連，後者有助改善供電品質，兩項技術相互搭配，擴大切入先進封裝市場的機會。