針對陽明交大電子物理系教授張文豪團隊攜手台積電等博士團隊，成功開發出高效能單層二硫化鉬（MoS2）頂閘極電晶體，國內唯一鉬金屬大廠華鉬（6990）董事長王大介表示，二硫化鉬能透過化學合成，華鉬隨時都可以配合展開研發測試。

王大介指出，華鉬以生產高純氧化鉬為主，目前純度已達3N（99.9%），後續預計提升至4N（99.99%），並送交國外供應商進行化學與物理驗測，一旦驗測過關，將可全力拓展國際市場，後續並朝5N（99.999%）超高純度目標邁進。

在國科會計畫支持下，陽明交大與台積電相關團隊，針對二維半導體長期以來面臨的「介面問題」提出解決方案，成功開發出高效能的單層二硫化鉬頂閘極電晶體，這項突破性成果更登上國際頂尖期刊《Nature Electronics》。

研發團隊指出，未來二維半導體真正的競爭，不只是材料，而是介面工程，這項技術最大的價值，是建立可廣泛應用於不同二維半導體材料的平台技術。

研發團隊表示，未來可望發展出更高速、更低功耗的電子元件，並與現有的半導體製程完美結合，為「後矽時代」的晶片技術奠定重要基礎，也再次展現台灣在次世代半導體領域的創新實力與國際競爭力。

王大介說，目前包括二硫化鉬、二氯二氧化鉬等半導體潛在原料，都仍在探討階段，尚未應用於半導體1奈米以下製程。以華鉬為例，產品以高純氧化鉬為主，未來可透過化學合成，配合研發團隊進行二硫化鉬研發測試，加速產品落地。