美光 (Micron)(MU-US) 周四 (9 日) 宣布，因應人工智慧 (AI) 時代記憶體需求持續攀升，將美國投資計畫再度上調，承諾 2035 年前在美國投入逾 2,500 億美元，高於去年 6 月宣布的 2,000 億美元計畫，也較最初規劃大幅增加，進一步響應美國總統川普推動半導體製造回流政策。

美光表示，新增投資將有助於實現長期目標，也就是未來 40% 的 DRAM 產能將在美國生產，同時創造更多高薪直接與間接就業機會，反映公司對自身技術領先地位及 AI 帶動記憶體需求的信心。

除了擴大晶圓廠投資，美光也將投入 30 億美元強化美國半導體供應鏈，其中 5 億美元將支持環球晶 (GlobalWafers)(6488-TW) 位於德州謝爾曼 (Sherman) 的 300 毫米矽晶圓製造廠技術升級。雙方也同步簽署為期 10 年的供貨協議，確保美光取得充足的矽晶圓產能，以支援長期製造布局。

受消息激勵，美光盤前股價一度大漲逾 6%。

美光同日也宣布，紐約州克萊 (Clay) 新晶圓廠正式完成首次混凝土澆置工程，較原定時程提前超過一季，象徵建廠計畫由整地階段正式邁入主體結構施工。該園區預計將成為美國史上最大的半導體製造基地，也是美光美國投資計畫的核心。

根據規劃，美光紐約廠最多將興建 4 座晶圓廠，可望為紐約州創造約 5 萬個工作機會，其中包括 9,000 個美光直接職缺，並帶動建築、供應鏈及地方產業發展。若加計愛達荷州及維吉尼亞州等其他投資案，美光預估全美相關計畫將創造逾 9 萬個就業機會。

其中，愛達荷州首座晶圓廠預計於 2027 年中開始產出首批晶圓，第二座晶圓廠則預定 2028 年底投產；維吉尼亞州廠今年稍早也已開始生產 1α(1-alpha) DDR4 記憶體，供應汽車、工業、醫療、航太及國防等長生命周期應用市場。

美光董事長兼執行長梅羅特拉 (Sanjay Mehrotra) 表示，公司將美國投資規模提高至逾 2,500 億美元，不僅有助滿足 AI 時代快速成長的記憶體需求，也將強化美國半導體供應鏈，鞏固美國在全球科技產業的領導地位。他並指出，紐約新廠工程提前達成重要里程碑，展現公司推動計畫的執行效率與決心。