韓媒報導，SK 海力士 (SK Hynix) 正採取一項看似反直覺的策略，這家高頻寬記憶體 (HBM) 龍頭不但沒有全力衝刺下一代 HBM4 量產，反而刻意放慢腳步，把資源轉向傳統 DRAM 市場，希望在嚴重供給短缺帶動 DRAM 利潤意外飆升之際，搶下更多營收。

ChosunBiz 周二 (23 日) 引述業界人士說法報導，SK 海力士正稍稍延緩原本要從 HBM3E 轉換至 HBN4 產線的時間表，主因是 DRAM 市場營業利益率已經超越 HBM，海力士想從前者獲取更多額外收入。

SK 海力士有 40% 營收來自 HBM，加上已在這個市場確立絕對領先地位，與其投入產能競賽，不如鎖定供給短缺極其嚴重的傳統 DRAM。

SK 海力士全年 HBM 產能據傳今年稍早便已全數售罄，在產品供不應求、訂單已滿載的情況下，加快產能擴張能帶來的額外收益其實有限。

相較之下，過去因 HBM 優先策略而遭到冷落的傳統 DRAM，如今正面臨嚴重供給短缺，導致兩者獲利能力出現黃金交叉。

SK 海力士先前曾放慢 1c 製程 DRAM 投資，把資源集中投入 HBM，當時 HBM 的利潤率約為傳統 DRAM 的三至五倍。

但截至今年第 1 季為止，雖然傳統 DRAM 每 GB 的售價仍低於 HBM，但兩者的營益率差距預估已擴大超過 15 個百分點。大信證券 (Daishin Securities) 甚至預測，傳統 DRAM 的營益率今年有望攀升至理論上 90% 的巔峰。

一名熟稔 SK 海力士內情的人士透露：「從 SK 海力士管理階層的角度來看，他們是絕不可能眼睜睜看著競爭對手三星電子靠傳統 DRAM 而非 HBM 瘋狂席捲龐大營收，還坐視不管。」該名人士同時指出：「由於輝達即將搭載 HBM4 的次世代晶片『Rubin』產量預估趨於下修，SK 海力士根本沒有理由加速 HBM 轉型。」

SK 集團會長崔泰源早在 3 月便曾警告，晶圓供給不足問題恐將持續至 2030 年。

目前 SK 海力士在 HBM 市場市占率約達 50-60%，憑藉多年積極投資以及與輝達 (NVDA-US) 等 AI 晶片設計公司的密切合作，建立領先優勢。

但晶圓產能畢竟有限，每一片投入 HBM 生產的晶圓，代表少了一片可用於製造傳統 DRAM。在 DRAM 獲利平淡時，這種取捨相當合理，但如今 DRAM 利潤因為短缺而上升，使情況出現變化。

SK 海力士策略轉向下，最直接的受益者可能是三星電子：當 SK 海力士放慢 HBM4 擴產速度，在 HBM 領域持續追趕的三星就有拉近差距的機會。近年來，三星在 HBM 產品上遭遇良率問題與客戶認證延遲等挑戰。

然而，這項策略對海力士而言也存在風險，因為放慢 HBM4 布局，不僅可能讓三星迎頭趕上，也可能讓美光 (MU-US) 等競爭對手趁機搶占市場。