力積電 (6770-TW) 今 (21) 日召開法說會，公司表示，今年 3 月、4 月已全面調漲記憶體與邏輯晶圓代工價格，尤其以 DRAM、NAND 價格漲勢最顯著，漲價效益預計將在 6 月起逐步顯現，同時 3D AI foundry 新業務中的 12 吋 IPD 也將在今年第二季起放量，進一步推升全年營運。

針對 DRAM 現貨市場下跌與 Google 新演算法壓抑 DRAM 需求等，力積電表示，為應付 AI 模型持續擴大並消耗 Token 的需求，AI 業者近期皆與 DRAM 大廠簽訂 3 年長約，記憶體市場預期供給缺口仍會持續到今年下半年，公司的 DRAM 代工價格已在 3 月大幅調漲，預計漲價效應自 6 月起開始發酵。

與美光 (MU-US) 合作的 1P 製程已開始進入開發階段，新機台預計 2027 年第一季搬入，2028 年上半年完成試產，下半年進入量產。1P 的晶圓顆粒數是現有主力製程平台的 2.5 倍，對未來 DRAM 產值增加將帶來明顯助益。

Flash 方面，受惠韓系大廠淡出 SLC NAND Flash，SLC NAND 的合約價與現貨價明顯上漲，力積電 4 月起也大幅調漲 NAND 晶圓代工價格。除了 SLC，也與客戶緊密合作開發 24 奈米 MLC，預計年底前完成製程開發，明年上半年可供客戶設計定案 (Tape-out)。

力積電 NOR Flash 客戶端驗證也已有斬獲，自 2025 年第四季起放量，車規產品亦正在試產中，不過漲價幅度不如 NAND 明顯。

針對邏輯代工產品線，力積電指出，因銅鑼廠售予美光，機台陸續停線並搬回新竹廠區，導致 12 吋邏輯產品線總體產能限縮，12 吋驅動 IC 及 CMOS 影像感測器晶圓產能供應不足，代工價格自 1 月起開始調升，漲幅皆達雙位數。

PMIC 方面也受惠 AI 伺服器市場需求強勁，主力客戶已在去年第四季完成工程驗證並開始放量，月投片量已超過 1 萬片。手機 PMIC 部份，儘管今年手機市場因記憶體缺貨而下修出貨量，但因 5G 手機 PMIC 用量是 4G 的 2.5 倍，手機 IC 大廠認為中長期需求依不看淡，因此目前投片力道並未減弱。

此外，8 吋晶圓在 AI 題材續熱及儲能相關需求成長帶動下，功率元件需求同步成長，手機及 PC/NB 多家市調機構普遍預估今年會因為記憶體大幅漲價而衰退，客戶也提前拉貨，相關客戶第一季需求不減反增，第二季也未有減弱跡象。車用半導體市埸需求第一季表現平平，但因市佔率版塊移動，部份車用功率器件客戶市佔率增加，投片需求明顯增加。

力積電竹南廠 8 吋無塵室部分空間改裝為 12 吋測試機台所用，8 吋總產能限縮，再加上客戶需求仍強，導致 8 吋產能吃緊，公司 8 吋晶圓代工價格自 3 月起開始逐月調升平均約 10%。GaN 及矽電容則已少量投片，惟客戶送樣驗證時間較預期來的更長，但可預見 GaN 及矽電容未來將會是 8 吋中長期成長動能。

整體而言，邏輯代工產品線需求在沉澱多時後由谷底翻身，再加上銅鑼廠售予美光，機台及產線回移新竹產能局部限縮，並陸續淘汰低毛利產品線，未來幾個季度不論 8 吋或 12 吋邏輯代工，估計投片需求都會大於產能，惟邏輯產品線價格的上調幅度遠不如記憶體來的猛烈。

至於 3D AI Foundry 產品線，力積電看好，中介層 (Interposer) 需求持續增溫，惟因產線自銅鑼廠移出造成短暫停線，預計在今年第三季於新竹廠區完成復線。WoW 4 層堆疊工程樣品與一線大廠認證順利，可望在明年陸續轉為小量生產。8 層堆疊開發順利，目前良率改善中。

12 吋 IPD 已獲國際大廠認證完成，並即將於第二季開始放量，產品使用於英特爾 (INTC-US) EMIB 先進封裝，2027 下半年起月投片需求近一萬片。美系 CPU 推動的 EMIB 有望與 CoWoS 分庭抗禮，在 AI 伺服器市場中佔一席之地，明年下半年相關效益顯現。

與美光合作的 PWF 產線目前已於竹廠區著手擴建無塵室，預計 2026 年第三季開始機台搬入，預計 2026 年第四季開始試產，2027 第四季進入量產，目標月產能 2 萬片。

力積電認為，去年 3D AI foundry 事業雖僅佔總體營收只有 2%，2026 年 Interposer 及 IPD 對營收貢獻將明顯增加，再加上 2027 年起 PWF 及 WoW 自有代工平台需求逐漸擴大，未來 3D AI foundry 將成為本公司記憶體代工及邏輯代工之外的第三大支柱，也是未來幾年公司營收及獲利成長的主要動能。